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中文摘要：
主要以AFOR-HET软件来模拟n-β-FeSi2／c-Si（p）／μc-Si（p^＋）太阳电池的性能，讨论了发射区和／μc-Si背场的特性对异质结太阳电池转换效率的影响。模拟结果发现：发射层的厚度增加会显著减低电池的短路电流密度，从而影响电池的转换效率；发射层的掺杂浓度也是影响异质结太阳电池光伏性能的一个重要参数；界面态对电池的影响是不容忽视的，为获得高效率的太阳电池，需尽可能将界面态缺陷密度控制在10^10cm^-2／eV以下；微晶硅背场可有效提高太阳电池的转换效率，但要求背场掺杂至少要达到10^19cm^-3以上。
英文摘要：
In this paper,β-FeSi2/c-Si（p）/μc-Si（p^＋ ） heterojunction solar cell was analyzed and designed by AFORS-HET software. The influences of the characters of emitter and back surface field （BSF） on the conversion efficiency of so-lar cell were discussed. The simulation results show that the increase of the thickness of the emitter will decrease the short-current density and affect the conversion efficiency of solar cell. The emitter doping concentration is another key pa-rameter of heterojunction solar cell. We can＇t ignore the influence of the interface states density. Microcrystalline BSF can increase conversion efficiency compared with solar cell with no BSF.
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