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Growth of Ge1-xSnx/Ge strained-layer superlattices on Si(100) by molecular beam epitaxy
  • ISSN号:0749-6036
  • 期刊名称:Superlattices and Microstructures
  • 时间:2013.12
  • 页码:543-551
  • 相关项目:硅基锗材料外延及其相关器件基础研究
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