位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
考虑硅通孔的三维集成电路最高层温度模型
  • ISSN号:1001-246X
  • 期刊名称:《计算物理》
  • 时间:0
  • 分类:TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]西安电子科技大学微电子学院,陕西西安710071
  • 相关基金:国家自然科学基金(60725415,60971066,61006028); 国家863计划(2009AA01Z258); 陕西省重大技术创新专项(2009ZKC02-11)资助项目
中文摘要:

针对三维集成电路最高层芯片,引入硅通孔面积比例因子r,提出了考虑硅通孔的温度解析模型.Matlab分析表明,在芯片堆叠层数及芯片工作状态相同的情况下,考虑硅通孔之后的芯片温度比未考虑硅通孔时要低;r越大,芯片温度越低;当芯片堆叠层数较多且r较小时,温度随着r的减小急剧上升;对于8层的三维集成电路,硅通孔面积比例因子的最佳范围为0.5%~1%.

英文摘要:

With through silicon via (TSV) area scale factor r, integrated circuits (3D IC) taking TSV into account was proposed. an analytical thermal model for top layer of three-dimensional It is shown that temperature is lower after considering TSVs under same working conditions; the greater the scale factor r, the lower the temperature is; For more layers and smaller r, temperature increases sharply with decrease of r; The best range of TSV area ratio factor r is O. 5% to 1% for an 8-layer 3D IC.

同期刊论文项目
同项目期刊论文
期刊信息
  • 《计算物理》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国核学会
  • 主编:朱少平
  • 地址:北京海淀区丰豪东路2号北京应用物理与计算数学研究所
  • 邮编:100094
  • 邮箱:jswl@iapcm.ac.cn
  • 电话:010-59872547 59872545 59872547
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-246X
  • 国内统一刊号:ISSN:11-2011/O4
  • 邮发代号:2-477
  • 获奖情况:
  • 1992年获“全优期刊”奖,《CAJ-CD规范》执行优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:4426