一种基于0.13μm CMOS工艺的10位SAR A/D转换器
- ISSN号:1000-3819
- 期刊名称:《固体电子学研究与进展》
- 时间:0
- 分类:TN405.97[电子电信—微电子学与固体电子学] O212.1[理学—概率论与数理统计;理学—数学]
- 作者机构:[1]Microelectronics School, Xidian University, Xi'an 710071, China
- 相关基金:Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Crant Nos. 60971066 and 60725415), the National High- Tech Program of China (Grant Nos. 2009AA01Z258 and 2009AA01Z260) and National Key Laboratory Foundation of China (Grant No. ZHD200904).
关键词:
互连延迟, 延迟模型, 纳米级, RLC, 多层次, 计算机辅助设计, 温度分布模型, 自加热效应, multilevel interconnection, thermal distribution, RLC interconnection delay, current density