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CMOS PWMD类音频功率放大器的过流保护电路
  • ISSN号:1000-3819
  • 期刊名称:《固体电子学研究与进展》
  • 时间:0
  • 分类:TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071
  • 相关基金:国家自然科学基金(60476046,60676009)、教育部博士点基金(20050701015)、国家杰出青年基金(60725415)资助项目 致谢:本论文得到了西安民展微电子有限公司的项目支持,特别感谢.
中文摘要:

基于Class-D音频功率放大器的应用,采用失调比较器及单边迟滞技术,提出了一种过流保护电路,其核心为两个CMOS失调比较器。整个电路基于CSMC 0.5μm CMOS工艺的BSIM3V3 Spice典型模型,采用Hspice对比较器的特性进行了仿真。失调比较器的直流开环增益约为95dB,失调电压分别为0.25V和0.286V。仿真和测试结果显示,当音频放大器输出短路或输出短接电源时,过流保护电路都能正常启动,保证音频放大器不会受到损坏,能完全满足D类音频放大器的设计要求。过流保护电路有效面积为291μm×59.5μm。

英文摘要:

This paper puts forward an over current protection circuit for CMOS class-D audio power amplifier applications. The core of this hysteresis. The experimental results show that circuit IS two offset comparators using unilateral the open loop gain of the comparators is about 95 dB and the offset voltages are 0. 25 V and 0. 286 V respectively under the condition of CSMC 0.5 μm CMOS process. The over current protection circuit will start up when the output short to power supply voltage or short to ground voltage. So the audio power amplifier can not be damaged and the circuit completely meets the design of class-D audio power amplifier. The active area of the over current protection circuit is about 291 μm× 59.5μm. The measured results shows that the proposed over current protection circuit can operate accurately when the output short to power supply voltage or short to ground voltage.

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期刊信息
  • 《固体电子学研究与进展》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:南京电子器件研究所
  • 主编:杨乃彬
  • 地址:南京中山东路524号(南京160信箱43分箱)
  • 邮编:210016
  • 邮箱:gtdz@chinajournal.net.cn
  • 电话:025-86858161
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3819
  • 国内统一刊号:ISSN:32-1110/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵双效期刊,江苏省第六届优秀期刊,工信部09-10年期刊编辑质量优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:2461