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基于SOI的集成硅微传感器芯片的制作
  • ISSN号:1674-4926
  • 期刊名称:《半导体学报:英文版》
  • 时间:0
  • 分类:TS212.1[轻工技术与工程—粮食、油脂及植物蛋白工程;轻工技术与工程—食品科学与工程]
  • 作者机构:[1]西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室,西安710049, [2]北京大学微电子学研究所,北京100871
  • 相关基金:国家自然科学基金(批准号:50535030,50475085),国家重点基础研究发展规划(批准号:2004CB619302)及教育部“新世纪优秀人才支持计划”(批准号:NCET.05.0842)资助项目
中文摘要:

为满足小体积、多参数测量的要求,采用SOI硅片,设计了一种测量三轴加速度、绝对压力、温度参数的单片集成硅微传感器,其中加速度、绝对压力传感器基于掺杂硅压阻效应,温度传感器基于掺杂硅电阻温度效应.根据集成传感器的结构,制定了相应的制备工艺步骤.针对芯片上各电阻间金属引线的可靠性问题和加速度传感器质量块吸附问题提出了有效的改进方法.最后给出了集成传感器芯片的性能测试结果.

英文摘要:

A monolithic silicon multi-sensor on SOI wafer that consists of a three-axis piezoresistive accelcrometer,a piezorsistive absolute pressure sensor,and a silicon thermistor temperature sensor is presented. The fabrication process of the sensor is described. An effective micromachining process is developed to improve the reliability of the metal wire in the multi-sensor and to avoid adhesion between the PYREX glass and silicon mass in the process of anodic bonding. Finally,the measurement results of the sensor are shown.

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期刊信息
  • 《半导体学报:英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编:李树深
  • 地址:北京912信箱
  • 邮编:100083
  • 邮箱:cjs@semi.ac.cn
  • 电话:010-82304277
  • 国际标准刊号:ISSN:1674-4926
  • 国内统一刊号:ISSN:11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:7754